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Technische Information / Technical Information
IGBT-Module IGBT-Modules
FF 200 R17 KE3
vorlaufige Daten preliminary data
Hochstzulassige Werte / Maximum rated values
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage Kollektor-Dauergleichstrom DC-collector current Periodischer Kollektor Spitzenstrom repetitive peak collctor current Gesamt-Verlustleistung total power dissipation Gate-Emitter-Spitzenspannung gate-emitter peak voltage Dauergleichstrom DC forward current Periodischer Spitzenstrom repetitive peak forw. current Grenzlastintegral der Diode I2t - value, Diode Isolations-Prufspannung insulation test voltage tp = 1 ms Tvj = 25C TC = 80 C TC = 25 C tP = 1 ms, TC = 80C VCES IC,nom. IC ICRM 1.700 200 390 400 V A A A
TC=25C, Transistor
Ptot
1250
W
VGES
+/- 20V
V
IF
200
A
IFRM
400
A
VR = 0V, tp = 10ms, TVj = 125C
2 It
5,4
k A2s
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
VISOL
3,4
kV
Charakteristische Werte / Characteristic values
Transistor / Transistor
Kollektor-Emitter Sattigungsspannung collector-emitter saturation voltage Gate-Schwellenspannung gate threshold voltage Gateladung gate charge Eingangskapazitat input capacitance Ruckwirkungskapazitat reverse transfer capacitance Kollektor-Emitter Reststrom collector-emitter cut-off current Gate-Emitter Reststrom gate-emitter leakage current IC = 200A, VGE = 15V, Tvj = 25C IC = 200A, VGE = 15V, Tvj = 125C IC = 8mA, VCE = VGE, Tvj = 25C VGE(th) VCE sat
min.
5,2
typ.
2,0 2,4 5,8
max.
2,45 6,4 V V V
VGE = -15V ... +15V
QG
-
1,2
-
C
f = 1MHz,Tvj = 25C,VCE = 25V, VGE = 0V
Cies
-
17
-
nF
f = 1MHz,Tvj = 25C,VCE = 25V, VGE = 0V
Cres
-
0,6
-
nF
VCE = 1700V, VGE = 0V, Tvj = 25C
ICES
-
-
5
mA
VCE = 0V, VGE = 20V, Tvj = 25C
IGES
-
-
400
nA
prepared by: Alfons Wiesenthal approved by: Christoph Lubke; 2002-07-15
date of publication: 2002-07-15 revision: 2.0
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Technische Information / Technical Information
IGBT-Module IGBT-Modules
FF 200 R17 KE3
vorlaufige Daten preliminary data
Charakteristische Werte / Characteristic values
Transistor / Transistor
Einschaltverzogerungszeit (ind. Last) turn on delay time (inductive load) IC =200A, VCE = 900V VGE = 15V, RG = 6,8W, Tvj = 25C VGE = 15V, RG = 6,8W, Tvj = 125C Anstiegszeit (induktive Last) rise time (inductive load) IC = 200A, VCE = 900V VGE = 15V, RG = 6,8W, Tvj = 25C VGE = 15V, RG = 6,8W, Tvj = 125C Abschaltverzogerungszeit (ind. Last) turn off delay time (inductive load) IC = 200A, VCE = 900V VGE = 15V, RG = 6,8W, Tvj = 25C VGE = 15V, RG = 6,8W, Tvj = 125C Fallzeit (induktive Last) fall time (inductive load) IC = 200A, VCE = 900V VGE = 15V, RG = 6,8W, Tvj = 25C VGE = 15V, RG = 6,8W, Tvj = 125C Einschaltverlustenergie pro Puls turn-on energy loss per pulse Abschaltverlustenergie pro Puls turn-off energy loss per pulse Kurzschluverhalten SC Data Modulinduktivitat stray inductance module Modulleitungswiderstand, Anschlusse - Chip module lead resistance, terminals - chip IC = 200A, VCE = 900V, VGE = 15V RG = 6,8W, Tvj = 125C, Ls = 60nH IC =200A, VCE = 900V, VGE = 15V RG = 6,8W, Tvj = 125C, Ls = 60nH tP 10sec, VGE 15V TVj125C, VCC=1000V, VCEmax=VCES -LsCE *di/dt Anschlusse / terminals: 2 - 3 ISC LsCE 740 20 A nH Eoff 65 mJ Eon 80 mJ tf 0,12 0,20 s s td,off 0,85 1,00 s s tr 0,10 0,10 s s td,on 0,25 0,30 s s
min.
typ.
max.
TC=25C, pro Zweig / per arm
RCC+EE
-
0,60
-
mW
Charakteristische Werte / Characteristic values
Diode / Diode
Durchlaspannung forward voltage Ruckstromspitze peak reverse recovery current IF = 200A, VGE = 0V, Tvj = 25C IF = 200A, VGE = 0V, Tvj = 125C IF = 200A, - diF/dt = 2600A/s VR = 900V, VGE = -15V, Tvj = 25C VR = 900V, VGE = -15V, Tvj = 125C Sperrverzogerungsladung recovered charge IF = 200A, - diF/dt = 2600A/s VR = 900V, VGE = -15V, Tvj = 25C VR = 900V, VGE = -15V, Tvj = 125C Abschaltenergie pro Puls reverse recovery energy IF = 200A, - diF/dt = 2600A/s VR = 900V, VGE = -15V, Tvj = 25C VR = 900V, VGE = -15V, Tvj = 125C Erec 25 50 mJ mJ Qr 50 85 C C IRM 220 230 A A VF
min.
-
typ.
1,8 1,9
max.
2,2 V V
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IGBT-Module IGBT-Modules
FF 200 R17 KE3
vorlaufige Daten preliminary data
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
min.
Innerer Warmewiderstand thermal resistance, junction to case Ubergangs-Warmewiderstand thermal resistance, case to heatsink Hochstzulassige Sperrschichttemperatur maximum junction temperature Betriebstemperatur operation temperature Lagertemperatur storage temperature Transistor / transistor, DC Diode/Diode, DC pro Modul / per module lPaste = 1 W/m*K / lgrease = 1 W/m*K RthCK RthJC -
typ.
0,01
max.
0,10 0,16 K/W K/W K/W
Tvj max
-
-
150
C
Tvjop
-40
-
125
C
Tstg
-40
-
125
C
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehause, siehe Anlage case, see appendix Innere Isolation internal insulation Kriechstrecke creepage distance Luftstrecke clearance CTI comperative tracking index Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung mounting torque Anzugsdrehmoment f. elektr. Anschlusse terminal connection torque Gewicht weight Schraube / screw M6 M 3 Al2O3
20
mm
11
mm
425
-
6
Nm
Anschlusse / terminals M6
M
2,5
-
5
Nm
G
340
g
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehorigen Technischen Erlauterungen. This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes.
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IGBT-Module IGBT-Modules
FF 200 R17 KE3
Ausgangskennlinie (typisch) Output characteristic (typical) IC = f (VCE)
VGE = 15V
vorlaufige Daten preliminary data
400 350 300 250
Tvj = 25C Tvj = 125C
IC [A]
200 150 100 50 0 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0
VCE [V]
Ausgangskennlinienfeld (typisch) Output characteristic (typical)
400 350 300 250
vGE=19V vGE=15V vGE=13V vGE=11V vGE=9V
I C = f (VCE)
Tvj = 125C
IC [A]
200 150 100 50 0 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0
VCE [V]
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IGBT-Module IGBT-Modules
FF 200 R17 KE3
vorlaufige Daten preliminary data
Ubertragungscharakteristik (typisch) IC = f (VGE) VCE = 20V Transfer characteristic (typical)
400 350 300 250
Tvj = 25C Tvj = 125C
IC [A]
200 150 100 50 0 5 6 7 8 9 10 11
VGE [V]
Durchlakennlinie der Inversdiode (typisch) Forward characteristic of inverse diode (typical)
400 350 300 250
IF = f (VF)
Tvj = 25C Tvj = 125C
IF [A]
200 150 100 50 0 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0
VF [V]
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Technische Information / Technical Information
IGBT-Module IGBT-Modules
FF 200 R17 KE3
vorlaufige Daten preliminary data
Schaltverluste (typisch) Eon = f (IC) , E off = f (IC) , E rec = f (IC) Switching losses (typical) VGE = 15V, Rgon = Rgoff =6,8W, VCE = 900V, Tvj = 125C
350 300 250 E [mJ] 200 150 100 50 0 0 50 100 150 200 250 300 350 400
Eon Eoff Erec
IC [A]
Schaltverluste (typisch) Switching losses (typical)
300
Eon = f (RG) , E off = f (RG) , E rec = f (RG)
VGE = 15V, IC = 200A , VCE = 900V , Tj = 125C
Eon
250
Eoff Erec
200 E [mJ]
150
100
50
0 0 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50
RG [W]
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IGBT-Module IGBT-Modules
FF 200 R17 KE3
vorlaufige Daten preliminary data
Transienter Warmewiderstand Transient thermal impedance ZthJC = f (t)
1
ZthJC [K/W]
0,1
0,01 Zth:Diode Zth:IGBT 0,001 0,001 0,01 0,1 t [s] 1 10
i ri [K/kW] : IGBT ti [s] : IGBT ri [K/kW] : Diode ti [s] : Diode
1 25,45 0,01565 54,22 0,02103
2 37,61 0,03977 60,17 0,03011
3 29,04 0,07521 38,1 0,08672
4 7,899 1,443 7,509 1,1583
Sicherer Arbeitsbereich (RBSOA) Reverse bias safe operation area (RBSOA)
500
VGE = 15V, RG = 6,8Ohm, Tvj = 125C
400
IC [A]
iC; Modul 300 iC; Chip
200
100
0 0 200 400 600 800 1000 1200 1400 1600 1800
VCE [V]
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IGBT-Module IGBT-Modules
FF 200 R 17 KE3
vorlaufige Daten preliminary data
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